ELEVADOR DE TENSIÓN PARA CIRCUITOS CMOS N-WELL

ELEVADOR DE TENSIÓN PARA CIRCUITOS CMOS N-WELL

Título : "ELEVADOR DE TENSIÓN PARA CIRCUITOS CMOS N-WELL "
Autores: Ing. Alejandro de La Plaza, Profesor Universidad de Buenos Aires
Ing. Héctor Fabián Kirschenbaum, Estudiante de doctorado
Contacto: Ing. Alejandro de La Plaza
Dirección : Laboratorio de Microelectrónica
Facultad de Ingeniería de la Universidad de Buenos Aires
Paseo Colon 850, CP 1063, Buenos Aires, ARGENTINA.
Teléfono: 54-1-4343-0891, int 263 y 167.
Mail:
[email protected] < Alejandro de La Plaza>
[email protected] <Héctor Fabián Kirschenbaum>
Resumen
El uso de elevadores de tensión integrados se debe a los dispositivos EPROM de compuerta-flotante, y a los
circuitos de muy baja tensión de alimentación. En el primer caso esta necesidad esta justificada por el hecho de
que una segunda fuente de alimentación para el ciclo de escritura es inaceptable. En el segundo caso muchas
funciones no son bien resueltas con un potencial bajo y por lo tanto se requiere de uno superior.
Para obtener una tensión a partir de otra inferior se utilizan principalmente dos métodos, a través de circuitos
de elevación de carga y a través de reguladores de conmutación. La principal diferencia entre ambos circuitos es
el elemento usado para almacenar energía. En el primer caso este elemento es un capacitor y en el segundo caso
es un inductor o transformador. Cuando la potencia requerida es pequeña los capacitores requeridos por los
circuitos de elevación de carga pueden ser lo suficientemente pequeños como para que todo el circuito elevador
sea implementado en un único integrado. Por lo tanto los circuitos elevadores de tensión por elevación de carga
son los ampliamente utilizados en los circuitos de memoria no-volátil y también en la mayoría de los dispositivos
EEPROM con alimentación exclusiva de 5v disponibles en la actualidad.
Se ha desarrollado un nuevo elevador de tensión integrado para su utilización tanto en memorias EEPROM
como en circuitos de muy baja tensión utilizando el concepto de elevación de carga pero de una nueva forma que
permite la integración de los capacitores con tecnología CMOS N-Well estándar. También permite el control de
la tensión sobre todos los dispositivos del elevador. Se obtuvieron valores de eficiencia similares a los del
elevador de Dickson. El elevador ha sido fabricado a través de MOSIS con la tecnología nombrada
anteriormente.
Summary
The on-chip high-voltage generators are used in non-volatile memory circuits and in very low voltage circuits.
In the first case they need it because a second voltage source for the write cycle is unacceptable. In the second
case many functions are not well solved by low voltage source, so a high voltage source is required.
In order to obtain a high voltage from a low voltage two methods are preferred. The charge pump one, and the
conmutation regulators. The main difference between them is the storage element. These are a capacitor and an
inductor or transformer respectively. When the power is low, the capacitors that are used in the pump charge
circuits are small enough that allow all the circuit can be integrated. For this reason the charge pump circuits are
widely use in the non-volatile memory circuits and also in the most of the EEPROM devices with 5v voltage
available now.
A new high voltage generator has been developed it can be used for non-volatile memory circuits and for very
low voltage circuits. It uses the concept of charge pump but in a new way. This allowed the circuits' integration
with standard Cmos N-Well technology. The Circuit has been fabricated through Mosis with the technology
named above.
Elevador De Tensión Integrado Para Circuitos
CMOS N-WELL
Alejandro de La Plaza, Héctor Fabián Kirschenbaum
Abstracto - Se desarrolló un multiplicador de
tensión integrado en el cual solo se requiere una
sola fase. Con esta técnica la tensión desarrollada
sobre los capacitores no supera a la alimentación.
También se describe un circuito equivalente del
elevador. Este circuito puede ser utilizado como
fuente para circuitos de muy bajo nivel de
operación.
Introducción
La utilización de generadores de alta tensión
integrados para la escritura de memorias EEPROM
es algo muy utilizado y en constante desarrollo
debido a la reducción continua de la alimentación
de los integrados. Esta reducción también obliga a
la utilización de elevadores integrados como fuente
de alimentación de los circuitos.
La alta tensión generada, al someter a los
dispositivos integrados a tensiones superiores a su
tolerancia, dificulta su integración con tecnología
estándar o en forma económica.
La nueva configuración que se presenta aquí
permite la implementación sin que ningún
dispositivo sea sometido a tensiones superiores a la
alimentación. También utiliza solo un clock.
Todo esto se logra recurriendo a un nuevo
método de transferencia de carga.
Principio de Funcionamiento
estos deben soportar el total de tensión desarrollada
a lo largo del elevador y que se deben utilizar dos
señales de clock en contrafase y no superpuestas,
esto último para reducir la tensión de ondulación;
aunque la mayoría de las aplicaciones práctica
basadas en este circuito exigen 4 fases [2].
Debido a la alta tensión a la que son sometidos
los capacitores no se los puede integrar usando la
capacitancia entre gate y sustrato de un transistor
MOS de baja tensión y por lo tanto ocupan un área
muy grande.
Para solucionar estas limitaciones se presenta el
multiplicador de tensión de la figura 2. La idea
general de este multiplicador es cargar
simultáneamente una batería de capacitores, C1,
C2. . . Ci. . . CN, para después ponerlos en serie,
formando una cadena. Este concepto es tratado por
Masaaki en [3]. Si se elimina el camino de
descarga de los capacitores, la tensión en los
extremos de la cadena es igual a la suma de la
tensión entre bornes de cada capacitor. Parte de esta
carga se transfiere por redistribución en cada ciclo a
un capacitor de salida.
El circuito posee dos estados, el de carga y el de
redistribución. En el ciclo de carga los capacitores
adquieren la tensión de alimentación. En el ciclo de
redistribución los capacitores son puestos en serie.
Estos ciclos están definidos por un solo clock.
Si cada capacitor se carga a la tensión de
alimentación, Vcc, cuando se ponen todos ellos en
paralelo, la tensión de la cadena es:
En principio se puede generar voltajes superiores
a la tensión de alimentación en forma integrada
utilizando el circuito desarrollado por Dickson [1],
que se muestra en la figura 1.
Su operación es bien conocida y solo se remarca
que por estar los capacitores dispuestos en paralelo
Vcad = (N + 1) ⋅ Vcc − Vd
Figura_2: Esquema del elevador de tensión
Figura_1:Circuito de Dickson
(1)
Figura_2: Esquema del elevador de tensión
En donde N es la cantidad de capacitores en la
cadena, y él termino extra corresponde a la
alimentación, ya que el primer capacitor de la
cadena se conecta a Vcc; Vd es la caída en el diodo.
Como la carga entregada por la cadena en cada
ciclo de clock es:
Q(c arg a ) =  COUT

// 

Ce
 V
V
N   ⋅ ( cad − out )
estas se deduce un modelo del elevador mostrado
en la figura 3.
(2)
La corriente entregada por el multiplicador a una
frecuencia de clock esta dada por
Figura_3 : Modelo del elevador de tensión
I OUT = f ⋅  COUT //  Ce   ⋅ (Vcad − Vout )
 N 

(3)
Donde vout es la tensión de salida del elevador.
Por lo tanto la expresión de la salida con una
carga dada por IOUT es la siguiente
Vout = (N + 1) ⋅ Vcc − VD −
IOUT
La tensión de ondulación de salida esta
determinada, como muestra el modelo de la figura
4, por la descarga del capacitor de salida cuando
debe mantener una corriente de salida IOUT.
(4)
f ⋅ COUT // Ce 
 N 

Con N: Cantidad de etapas
VD : Tensión de barrera del diodo de salida
F : Frecuencia del clock
Figura_4 : Modelo para la tensión de ondulación
Podemos volver a escribir la ultima como
Vout = VO − I OUT ⋅ RS
(5)
Con
VO = (N + 1) ⋅ Vcc − VD (6)
RS =
1
  Ce  // C  f
  N  OUT  ⋅



(7)
La corriente se cierra exclusivamente por el
capacitor de salida cuando el elevador esta en su
ciclo de carga y por el capacitor de salida y el
elevador cuando este último esta en su ciclo de
puesta en serie, un gráfico de la corriente se
muestra en la figura 5. Por lo tanto la tensión de
ondulación esta dada por
VR ≅
I OUT  T 
I OUT
⋅  +
C OUT  2    C e 
  N  + C OUT


T 
⋅   (8)
 2


Con T: Periodo del clock de alimentación.
Siendo Vo y Rs el voltaje de salida a circuito
abierto y la resistencia serie respectivamente. De
Figura_7 : Diagrama temporal del clock
Figura_5 : Diagrama de la corriente
Esto se logra mediante el circuito de la figura 8.
De esta expresión se deduce que la tensión de
ondulación y la tensión de salida dependen
linealmente de I OUT, alcanzando VOUT su valor
máximo y la tensión de ondulación siendo nula con
I OUT = 0 independientemente del valor de las otras
variables.
Implementación con tecnología CMOS
En la configuración que se presenta en la figura 6
se muestra la implementación desarrollada, con las
llaves realizadas con transistores NMOS y PMOS.
Los capacitores se implementan con transistores
utilizando la capacitancia entre gate y sustrato.
El circuito utiliza transistores NMOS como
llaves de control de carga de los capacitores. Para
activar las llaves NMOS que conectan al capacitor
con la masa y la alimentación simultáneamente se
debe contar con un único clock pero con dos ramas
desplazadas por una tensión continua, como se
muestra en la figura 7.
Figura_8 : Circuito del clock
Entonces al entrar en corte los transistores NMOS
dejan al capacitor aislado y sin camino de descarga.
Para conectar estos capacitores en serie se usan
transistores PMOS.
Para controlar las compuertas PMOS el clock
solo activa directamente a Mcp4, que por ser
PMOS se activa cuando el NMOS se desactiva.
La secuencia de cambio de estado de carga a
redistribución prosigue después de la activación de
Mc4 con la elevación del potencial del drain de
Mn8, provocada por la activación de Mc4, y por lo
tanto del source del Mn7. Debido a que Mcc4 no
tiene por donde descargarse, este potencial pasa a
Figura_6: Circuito del elevador
estar en el orden de 2vcc. Al elevarse el potencial
en el source de Mn7 se habilita a Mc3 que eleva la
tensión en el drain de Mn6 y entonces en el source
de Mn5 hay 3 Vcc. Esto activa la compuerta
siguiente y así se va repitiendo el proceso hasta
llegar a la última etapa que tiene como tensión de
salida (N+1)Vcc donde N es la cantidad de etapas.
Verificación del circuito
La simulación se realiza por medio de SPICE.
Primero se simula el elevador sin carga dando
como resultado la salida mostrada en la figura 9,
donde alcanza el valor predicho por (4).
corriente de carga, tal como predicen las ecuaciones
(4) y (8).
Conclusión
Se presenta un circuito elevador de tensión que
permite el uso de capacitores de baja tensión que
puede implementarse con tecnología Cmos N-Well
estandar. El uso de un clock único permite
optimizar la operación y simplifica el diseño.
Referencias
[1] Dickson, John F.; "On chip High-Voltage
Generation in NMOS Integrated Circuits Using an
Improved Voltage Multiplier technique"; IEEE
Journal of solid-state circuits; vol SC-11; No 3;
June 1976
[2] Christl Lauterbach, Werner Weber, Dirk Romer,
"Charge Sharing and New Clocking Scheme for
Power Efficiency and Electromagnetic Emission
Improvement of Boosted Charge Pumps", IEEE
Journal of solid-state circuits, vol 35, No 5, May
2000.
[3] Maasaki Mihara, Yasushi Terada, Michihiro
Yamada, "Negative Heap Pump for Low Voltage
Operation Flash Memory", IEEE 1996 Symposium
on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, p. 7677.
Figura_9 : Salida simulada del elevador sin carga
A continuación se realizan mediciones variando
la corriente de salida pero manteniendo fija la
frecuencia y capacidad de salida. En estas
mediciones se centra la atención en VOUT y la
tensión de ondulación. El resultado de las
mediciones se detalla en la tabla 1.
COUT = 10p; Frecuencia = 10Mhz
IOUT
VOUT
VOUT
Vr
Vr
Amper
Simulado
Calculado
Simulado
Calculado
1u
14.28
14.35
6m
5m
5u
14
14.15
26m
25m
20u
13.4
13.4
.135
0.1
100u
9,75
9.4
0.73
.5
Tabla 1 : Mediciones realizadas
Se observa como la tensión de ondulación
aumenta a medida que aumenta la carga del
elevador, también se observa como la salida del
elevador disminuye a medida que aumenta la